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FDMC6679AZ  与  BSZ086P03NS3E G  区别

型号 FDMC6679AZ BSZ086P03NS3E G
唯样编号 A3-FDMC6679AZ A-BSZ086P03NS3E G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 18 mOhm 91 nC 2.3 W PowerTrench SMT Mosfet - MLP 3.3x3.3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10m Ohms@11.5A,10V 8.6mΩ@-20A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2.3W(Ta),41W(Tc) 69W
栅极电压Vgs ±25V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-MLP(3.3x3.3) PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 11.5A -40A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3970pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 3,036 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMC6679AZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 3,036 当前型号
BSZ086P03NS3E G Infineon  数据手册 功率MOSFET

PG-TSDSON-8 P-Channel 69W 8.6mΩ@-20A,-10V -55°C~150°C ±25V -30V -40A

暂无价格 0 对比
BSZ086P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 40A 6.5mΩ 25V 69W P-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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